Tungstenoxid Tunnfilm Kemiskångavskiljningsmetod

Kemisk ångavsättningsmetod är att införa reaktanter i substratytan, vilket är ett vanligt sätt för framställning av tunnfilm. Föreliggande tunna filmbildningsmetod innefattar i huvudsak metallisk organisk kemisk ångavsättningsmetod (MOCVD) och lågtrycks-kemisk ångavsättningsmetod (LPCVD).

Metaller med organisk kemisk ångavsättning är en metod för heteroepitaxial tillväxt, det är en effektiv metod att bilda tunnfilm av hög kvalitet. Nedan är skissskärmen för MOVCD. Normalt gäller det organometall som metallkälla, Ar appliceras som bärgas, reaktionsgaser är huvudsakligen O2 eller ström. Tunn film tillverkad av MOVCD har hög kristallin kvalitet och jämn yta, filmen är likformig.

Lågtrycks kemisk ångavsättning framställs under måttlig vakuumatmosfär (ca 0,1 -5 torr), lågproducerande temperatur, den kan avsättas på substrat av stort område, avsättningsförfarandet är lätt att kontrollera, även ytan av avsatt tunna film är flathet.

Den vanliga kemiska ångavsättningsmetoden använder vanligen gasförening innefattar väte och klorid, vid framställning av volframoxid tunnfilm används W (CO) 6 och annan volframförening som förstadium tillsammans med W-atom och det finns kemisk reaktion på ytan av substratet. Det finns också rapporter om att använda andra specialiserade metalliska organiska ångmolekyler för att framställa volframoxidfilmer genom metallisk organisk kemisk ångavsättning (OMCVD), Plasma-förstärkt kemisk ångavsättning (PECVD) utförs under påverkan av plasmaljusutloppet, det kan öka hastigheten för tunnfilmsavsättning.

Deponeringshastigheten för volframoxidfilm framställd av CVD är snabbare än någon annan tillverkningsmetod, metoden har fördelarna med mångsidighet, produkten är av hög renhet, god processstyrbarhet, utmärkt process kontinuitet, men kostnaden är för hög vilket är Ej lämplig för industriell produktion.