Tungsten Oksit İnce Film Optimum Doping Miktarı

Uygun bir doping miktarı, tungsten oksit ince film özelliğini geliştirecektir. TiO2 katkılı tungsten oksit ince film kusurunu azaltır. Ni ve Co katkılı ince film, tungsten oksit ince filmin dengesini artırabilen polarizasyon voltajını azaltabilir. Doping vario-özelliği hakkında, insanlar genellikle kirlilik seviyesini hesaplamak için kuantum-mekanik teorisini kullanır, renk merkezi modelini, değerlik kayması modelini ve renklendirme mekanizmasını analiz etmek için küçük polaron modelini kurar, beyazlatma durumunu ve renklendirme durumunu analiz etmek için elektrokromik reaksiyonu kullanır. Uygun katma miktarı, malzemenin iletkenliğini artıran daha fazla elektron sağlar. Aşırı katlanırsa, biriken çok fazla kirlilik olacak ve kristal yapıyı tahrip edecek, böylece iletkenliği azaltacaktır.

İnce film malzemesi, tek veya çok kristalli olabilen çok küçük kristalinden oluşur. Belli bir elektrik malzemesi için NA atomundan ve NB katkılı atomdan oluştuğunu varsayıyoruz. Kristalinde, doping miktarı yeterince yüksek olduğunda, atom safsızlıkla değiştirilir ve bir BA oluşturur, başka bir BA oluştuğunda, bunlar bir araya geldiğinde safsızlıkların birikmesine neden olur. Önceki doping miktarını aşan kristal yapıyı yok eder. Sol-gel yöntemi ve buharlaştırma yöntemi için, kimyasal stokiyometrik oran çok doğrudur, ince filmin sıcaklığı düşüktür ve kirliliklerin yayılması aynıdır. Bu nedenle birikim olasılığını azaltır. Magnetron püskürtme yöntemi için, hazırlama sıcaklığı düşüktür, kirliliklerin yayılması dengesizdir, birikme olasılığını arttırır. Vakum buharı buharlaştırma metodu için daha yüksek hazırlama sıcaklığı gerektirir, safsızlıkların yayılması dengesizdir, birikim olasılığını arttırır. Kimyasal buhar biriktirme yöntemi için sıcaklık değişimleri çok fazla artar, birikme olasılığını arttırır.

Belli bir ince film kristal yapı ve hazırlama yöntemi için, ince film oluşumu sırasında atomun kristalin hafifliğini ve toz değişimlerini tanımlayabilir, geniş bir değer aralığında optimum doping miktarını x hesaplayabiliriz. Sol-gel yöntemi için, optimum doping miktarı magnetron püskürtme ve elektrik ışını buharlaştırma yöntemi için x ＝ 14.2857 ％ ；, buhar buharlaştırma yöntemi için optimum doping miktarı x ＝ 8.6647 ％ ；, buharlaşma yöntemi için optimum doping miktarı x ＝ 8.6647 ％ ；, kimyasal buhar biriktirme yöntemi için, x =% 3,1876. Bu sonuçlar, deneyde kanıtlanması gereken doping elemanlarına atıfta bulunmuyor.