Tungsten Oksit İnce Film Modifiye Yöntemi

Yüzey ısıtma

Substratın sıcaklığı, substratın yüzeyinde emilen iyonların aktif hale gelmesi, göç etmesi ve nükleer olması için kilit noktadır, ayrıca ince film fazına karar verir. Oda sıcaklığında biriken ince film alt tabakaya sıkıca yapışamaz. Biriktirme sıcaklığı çok yüksekse, ince filmin kristali çok büyüyecek ve reaksiyon süresi ve düzelme süresi düşecektir. W03 ince filminin ve kristalleşmemenin zayıf gözeneklilik delikleri, elektrokromizm ve fotokromizm için iyidir. Şu anda, amorf bir ince film elde etmek için, püskürtme gücünü azaltma, birikme oranını düşürme ve basıncı arttırma ve püskürtme hedefini ve substratın, bir amorf elde etmek üzere ısının ısınma etkisini azaltmaya çalışmak için diğer araçları azaltma nano-film yapısı mikrokristal durum. Düşük sıcaklıkta, yüksek basınç koşullarında, meydana gelen partikülün enerjisi düşüktür, atom yüzeyi difüzyon kabiliyeti sınırlıdır, oluşan ince filmin yapısı gevşektir.

Katkılı tungsten oksit ince film

Farklı öğelere katlanarak, ince film gazı için hassasiyeti ve seçiciliği artırabilir, böylece renk atma kapasitesini artırabilir. Tungsten oksit ince film katkılı yolu, bazı toprakları nadir toprak metalini püskürtmek için substrat olarak tungsten oksit ince film kullanarak tungsten oksit çözeltisine katmaktadır. Orta dereceli doping reaksiyonu, elektrik iletkenliğini geliştirmek için daha fazla elektron veya delik sağlar, tungsten oksit ince filmin çeşitli özellikleri üzerinde büyük etkiye sahiptir.

Tavlama işlemi

Tavlama sırasındaki tavlama sıcaklığı ve atmosferi, tungsten oksit filminin özelliklerini önemli ölçüde etkiler. Tavlama sıcaklığı ve tavlama süresi belirli bir seviyeye ulaştığında, amorf tungsten oksit ince filmi kristalli bir duruma dönüştürülebilir. Bir oksijen atmosferinde tavlama, kristalin ince filmde oksijen boşluğunu azaltabilir. Doping W03 gazı duyarlılık materyali üzerine araştırma ilk önce Tıraş Makinesi tarafından gerçekleştirilir, bir tungsten filmi elde etmek için vakumlu buharlaştırma yöntemini kullanır, daha sonra W03 ila H2'nin hassasiyetini arttırmak için az miktarda Pt ile püskürtülen W03 ince film elde etmek için 600-700 under altında ısıtılır, NH3 ve H2S. K.Galatsis, öncü olarak W (OC2H5) 6 ve Mo (OC3H7) 5, substrat olarak Si02, sol-gel yöntemiyle WO3-MoO3 üreten ve 02 için gaz sensörünü çalıştı.