Tungsten Oksit İnce Film Mikro Yapı

İnce film birikimi, ilk atomik absorpsiyon, desorpsiyon, çekirdeklenme ve büyümenin, filmin nihai formuna kadar şekillenmesidir, çekirdeklenme ve büyüme süreci, film biriktirme sırasında (substrat sıcaklığı, substrat yanlılığı, gaz basıncı) tungsten'i etkileyecek parametrelerle değişecektir. oksit ince film mikroyapısı. 1975 yılında, John A.Thomton, ince metal biriktirme metal ince filminin sıçramasına, yüzey sıcaklığının ve püskürtme gazı basıncının ince film mikro yapısı üzerindeki etkisine yönelik dört yapı bölgesi modeliyle ortaya çıkan Bölge Modelleri ile karşılaştı.

Düşük sıcaklık ve yüksek basınç koşullarında （Ts / TM ＜ 0.3 （TS: Yüzey sıcaklığı; TM: Erime noktası), ince filmin iç kısmı, gözenekli ince silindirik kristalin yapısına dönüşecektir, çünkü atom yüzeyindeki düşük hareketlilik. Alan ZoneⅠ olarak adlandırılır. Yüksek sıcaklıkta (0.3 （0.3 ＜ Ts / TM ＜ 0.5））, thermal daha fazla termal enerji nedeniyle mobilite daha yüksektir, yüzeyde daha fazla yayılma kapasitesiyle sonuçlanır, böylece kristalin incelir ve ince film yüzeyinin daha pürüzsüz, kristallerde birikmesine neden olur ve sütun şeklinde bir yapı olarak, alan Bölge Ⅱ olarak adlandırılır.Yüksek sıcaklık （0.5 ＜ Ts / TM）, çünkü difüzyon kabiliyeti arttıkça, kristalin re-kristali ile birlikte, eşit eksenli taneler yapısı haline gelir. Zone Ⅲ denilen Zone Ⅰ ile Zone Ⅱ arasında Zone T denilen, düşük sıcaklık (TS / TM <= 0.3) ve düşük basınç altında bir geçiş alanı vardır ve sonuçta ince filmin iç yapısındaki kristalin birikir. gölgeleme etkileri, yüzey yayınımı, kütle yayınımı ve yeniden kristallenme, film lifli yapı gibidir.