Método de deposição de vapor químico de filme fino de óxido de tungstênio

O método de deposição de vapor químico é introduzir reagentes na superfície do substrato, que é um método comum para a produção de filmes finos. O presente método de formação de película fina inclui principalmente o método de deposição de vapor químico orgânico de metal (MOCVD) e o método de deposição de vapor químico de baixa pressão (LPCVD).

O método de deposição de vapor químico orgânico de metais é um método de crescimento heteroepitaxial, é um método eficaz de formação de filme fino de alta qualidade. Abaixo está o mapa de esboço do MOVCD. Normalmente aplica organo metal como fonte de metal, Ar é aplicado como gás de arraste, gases de reação são principalmente O2 ou fluxo. O filme fino produzido pelo MOVCD tem alta qualidade cristalina e superfície lisa, o filme é uniforme.

Deposição de vapor químico de baixa pressão é preparada sob atmosfera de vácuo moderada (cerca de 0,1 -5torr), baixa temperatura de produção, pode ser depositada em substrato de grande área, o processo de deposição é fácil de controlar, também a superfície da película fina depositada é plana.

O método de deposição de vapor químico comum usualmente usa composto de gás inclui hidrogênio e cloreto, ao produzir filme fino de óxido de tungstênio, o W (CO) 6 e outro composto de tungstênio são usados ​​como precursor, junto com o átomo W e há reação química a superfície do substrato. Há também relatos de uso de outras moléculas de vapor orgânico de metal especializadas para preparar filmes de óxido de tungstênio por deposição de vapor químico orgânico de metal (OMCVD), Deposição química de vapor aumentada por plasma (PECVD) é realizada sob a influência da descarga de plasma, pode aumentar a taxa de deposição de filme fino.

A taxa de deposição de filme de óxido de tungstênio preparada por CVD é mais rápida do que qualquer outro método de produção, o método tem as vantagens da versatilidade, produto de alta pureza, boa controlabilidade do processo, excelente continuidade do processo, mas o custo é alto demais. não é adequado para produção industrial.