Método de pulverização de filme fino de óxido de tungstênio

Sputtering refere-se ao bombardeamento de partículas energéticas de superfícies sólidas (alvos), os átomos sólidos (ou moléculas) são emitidos a partir da superfície e depositados no substrato. É um tipo de deposição física de vapor. A pulverização iônica positiva é gerada por uma descarga de gás no campo elétrico do bombardeio de alta velocidade como um alvo catódico, o alvo do átomo ou molécula por colisões gera transferência de momento, para que os átomos ou moléculas da superfície alvo escapem e ser banhado da superfície da peça de trabalho para formar o filme desejado.

O m�odo de pulveriza�o �dividido em m�odo de pulveriza�o em corrente cont�ua, pulveriza�o RF, pulveriza�o magn�ica, pulveriza�o reactiva, pulveriza�o intermitente por pulsa�o de frequ�cia interm�dia, pulveriza�o por interfer�cia, pulveriza�o de feixe de i�s e semelhantes. A taxa de deposição por pulverização catódica é gás de alta e baixa pressão e outras vantagens únicas fazem com que se torne o método de deposição por pulverização mais utilizado.

O método de pulverização catódica por RF e magnetron sputtering é amplamente aplicado na produção de película fina WO3. A película fina de óxido de tungstênio preparada pelo método de sputtering tem as vantagens de rápida velocidade de formação de filme, alta pureza, alta densidade e boa ligação e resistência, etc. Controlando a pressão e temperatura da atmosfera para obter o filme WO3 de alto desempenho, mas o processo é muito complicado de controlar, a espessura do filme fino preparado é desigual, o alto custo de fabricação limita a sua aplicação.