텅스텐 옥사이드 필름 포토 크로 믹

산화 텅스텐 먼저 광범위한 관심과 연구를 수신 비정질 산화 텅스텐 막에서 광 변색 현상은 1973 년에보고 좋은 광 변색 성 물질이다. 1980 년 Gerard 등은 진공도를 변화시켜 진공 증발 법에 의해 HXWO3-Y 막을 제조 하였다. 이후, 스퍼터링 법으로 전환 라우터 AR-O2 (순수한 화학량 론적 필름의 제조)에 Ar-O2-H2 및에 Ar-O2-H2O (의 WO3 수산화 변경) 세 가지 종류의 분위기 중에서 반응성 스퍼터링을 제조 하였다 HXWO3-Y 필름.

산화 텅스텐의 광 변색의 영향 요인

산화 텅스텐의 광 변색에 영향을 미치는 많은 요인이 있으며 구조 및 조성 요인 외에도 분위기가 변색 성능에 영향을 미칩니다. 산화 텅스텐의 내부 구조로부터 많은 종류의 산화 텅스텐 구조가 존재한다. 입방정, 정방 매우 불안정 육방 청동, 파이로 클로 단사에 비교적 안정한 트리 클리닉, 그러나 가장 비정질 공부 (a-WO3) 또는 포토 루미 네 선스 액정의 전기 특성 (C-WO3) 막 .

a-WO3는 주로 c-WO3가 격자 결함 또는 비 표면적이 작기 때문에 c-WO3보다 우수한 광 변색 성을 갖는 것으로 밝혀졌다. 상기 언급 된 내부 물성 결정 주요 원인이며, 광 변색 성 외부에 산화 텅스텐의 영향은 그 다른 분위기의 구체적 효과를 과소 평가 될 수 없다. 착색의 관점에서, 수소 또는 수산기를 함유하는 일부 유기 증기는 산화 텅스텐의 색상 반응 속도 및 흡수 강도를 증가 시키는데 유리하다. 그것은 O3, H2O2 및 FE2 (SO4) 3와 같은 탈색을위한 산화 가스에 크게 영향을받습니다. 이러한 영향 요인은 산화 텅스텐의 광 변색 성 성능을 향상시키는 데 크게 도움이되며, 더 나은 성능을 가진 광 변색 성 물질의 생산에도 기여합니다.

산화 텅스텐의 광 변색 검출

그 단결이 매우 느린 개발, 그래서

텅스텐 광 변색 거의 반 세기 만, 광원과 불확실성의 컬러 특성의 산화가 선택됩니다. 규칙을 사용하여 1,973 Dbell의 urbach : HV는 방사선의 에너지이고 K = {K0exp -B (E0g-HV) / KT} 상기 B 상수 및 모든 재료. 올바른 광원을 선택하는 것이 변색을 달성하는 열쇠입니다. 전류원 메인 고압 압력 수은 크세논 램프 와트 광 소스, 500W, 400W, 250W, 150W 등과 수은등을 변화, 두 가지, 크세논 램프 (50) () W, 200W, 150W, 75W 등. 와트 수는 광도를 변경 만하지만 산화 텅스텐의 변색 성능을 반영 할 수 있습니다. 특히 관점에서 고 대역 색상과 재료의 장기 안정성 정보의 분야에 필요한 추구 한 햇빛 선글라스 제조업체에서 고려의 다양한 요구, 전기 변색 물질을 충족하고, 디스플레이 측면은 급속한 표백과 자료를 필요 성능. 따라서, 산화 텅스텐 광 변색 성 물질의 탐사는 여전히 갈 길이 멀다.

대부분의 학자들은 광원 색재이지만 단시간에 변색 프로세스를 측정 할 수있는 방법은 어려운 정확한 메커니즘 및 탈색 과정을 파악하게 UV 분광기에 의해 검출되었다. 전자 광 몇 초 후에 텅스텐 산화물 TR 변색을 검출하기위한 고감도 기법을 이용하여 1,993까지 생성 된, 상기 표백 과정이 동시에 가역적 산화 텅스텐 결론이다 제공하고 착색 광을 만들 때 널 레이트 점과 관련된 점의 수입니다. 또한, ESR, XPS 및 다른 수단에 의해 텅스텐 산화물 일렉트로 공정 측의 대상이 될 수 있지만, 두 장비 고가, 따라서 일반적인 방법으로 특징 화 될 수 없다.

삼산화 텅스텐 막을 광 조사 적절한 에너지 광 WO3 박막 다음 식에 의해 표현 가능한 전기 변색 반응기구에 의해 색을 나타낼 수있다 :

WO3 + hv → WO3 * + e- + h +

h ++ 1 / 2H2O → H ++ 1 / 4O2

WO3 + xe- + xH + → HxWO3

광 조사에 의해 WO3 필름, H는 + 상기 WO3의 전도대로 photogenerated 전자 후 H +를 생성 흡착 H2O 홀 및 막 표면을 photogenerated하고, 전자와 정공 생성 된 전자는 WO3의 내부로 확산 할 때, 리드 색상이 바뀝니다. 순수 WO3 막 만 자외선 센서는, 따라서, 초기 WO3 막용 전처리되지 않은, 전자 및 정공 만 격자 트랩 레벨을 생산할 때 음극 분극 후 생성 된 자외선에 의해 여기 될 수 있고, 이는 수 레벨은 금지 구역에 있으며 가시 광선으로 인해 흥분되어 가시 광선이 색상을 변화시킵니다.