Phương pháp chuẩn bị điện cực màng mỏng oxit vonfram

Vật liệu bán dẫn Nano được sử dụng làm chất xúc tác quang cho nước quang phân đã đạt được hiệu quả tốt. TiO2 có hoạt tính xúc tác cao và tính ổn định được sử dụng rộng rãi như một loại vật liệu xúc tác quang. Nhưng khoảng cách băng tần của nó là lớn (~ 3,2 eV), nó chỉ có thể được thúc đẩy bởi tia cực tím với độ dài sóng ngắn, hiệu quả giao dịch ánh sáng của nó thấp (~ 4%). Vonfram oxit là một vật liệu bán dẫn chuyển tiếp loạt băng gián tiếp. So với TiO2, nó có khoảng cách dải hẹp (2,5 ~ 3.0 eV), chiều dài sóng hấp thụ có liên quan là 410 ~ 500nm và tính chất đáp ứng quang điện tốt trong vùng ánh sáng khả kiến.

Phương pháp chuẩn bị điện cực màng mỏng oxit vonfram:

Nguyên liệu: Kính FTO; axit tungstic; hydro peroxide; acetone.

(1) Hãy sẵn sàng với kính FTO sạch làm chất nền lắng đọng WO3. Cắt kính FTO thành các mảnh 1,2cm * 2,5cm và làm sạch nó bằng siêu âm và tia cực tím. Sự sạch sẽ và bằng phẳng của chất nền FTO có ảnh hưởng lớn đến lực dính và tính đồng nhất của điện cực màng mỏng. Vì vậy, trước khi lắng đọng điện cực màng mỏng, kính FTO phải được làm sạch tốt. Đầu tiên, làm sạch các chất bẩn trên bề mặt bằng cồn ethyl. Sau đó đặt chất nền vào acetone và siêu âm trong 30 phút để loại bỏ chất béo ethyl và dầu trên bề mặt. Sau đó, siêu âm nó trong nước trong 20 phút để loại bỏ acetone còn lại. Cuối cùng làm khô nó bằng khí nitơ. Sau đó cho vào bể khử trùng bằng tia cực tím để khử trùng.

(2) Cân 0,02g axit tungstic và hòa tan bằng 20ml 30% hydro peroxide. Giữ nó trong 12 giờ để thu được dung dịch axit tungstic trong suốt, nó sẽ được sử dụng làm dung dịch điện phân để gửi WO3.

(3) Sử dụng chất nền thu được từ bước (1) làm điện cực làm việc, đo dung dịch axit tungstic 30 micro lít, phân phối đều trên bề mặt kính dẫn điện FTO. Làm khô nó dưới nhiệt độ phòng, thu được màng mỏng không màu.

(4) Đặt màng mỏng lắng đọng từ bước (3) vào lò nung ống, nung trong 2 giờ dưới 500oC, thu được điện cực WO3 không màu.