Wolframoxid-Dünnfilm-Sputterverfahren

Sputtern bezieht sich auf das Beschießen energetischer Partikel von festen Oberflächen (Targets), wobei die festen Atome (oder Moleküle) von der Oberfläche emittiert und auf dem Substrat abgeschieden werden. Es ist eine Art physikalische Dampfabscheidung. Positives Ionensputtern wird durch eine Gasentladung im elektrischen Feld des Hochgeschwindigkeitsbeschusses als Kathodentarget erzeugt, das das Ziel des Atoms oder Moleküls durch Kollisionen Impulsübertragung erzeugt, so daß die Targetoberflächenatome oder -moleküle entweichen und Produkt entstehen lassen von der Werkstückoberfläche plattiert werden, um den gewünschten Film zu bilden.

Das Sputterverfahren ist in ein Gleichstromsputterverfahren, ein HF-Sputtern, ein Magnetronsputtern, ein reaktives Sputtern, ein Zwischenfrequenz-Sputterpulssputtern, ein Vorspannungssputtern, ein Ionenstrahlsputtern und dergleichen unterteilt. Die Abscheidungsrate durch Magnetron-Sputtern ist ein Arbeitsgas mit hohem Druck und niedrigem Druck und andere einzigartige Vorteile machen es zur am weitesten verbreiteten Methode der Sputter-Abscheidung.

RF-Sputter- und Magnetron-Sputter-Verfahren werden häufig zur Herstellung von WO3-Dünnfilmen angewendet. Wolframoxid-Dünnfilm, der durch ein Sputterverfahren hergestellt wird, hat die Vorteile einer schnellen Filmbildungsgeschwindigkeit, einer hohen Reinheit, einer hohen Dichte und einer guten Bindung und Festigkeit usw. Durch Steuern des Atmosphärendrucks und der Temperatur zum Erhalten eines Hochleistungs-WO3-Dünnfilms, jedoch des Verfahrens zu kompliziert zu steuern ist, ist die Dicke des vorbereiteten dünnen Films ungleichmäßig, die hohen Herstellungskosten begrenzen seine Anwendung.