Тонкая пленка оксида вольфрама оптимальное количество легирования

Правильное количество легирования улучшит свойства тонкой пленки оксида вольфрама. Тонкая пленка оксида вольфрама, легированная TiO2, снижает свой дефект. Тонкая пленка, легированная Ni и Co, может снизить напряжение поляризации, что может улучшить стабильность тонкой пленки из оксида вольфрама. Что касается вариационных свойств легирования, люди обычно используют квантово-механическую теорию для расчета уровня примеси, устанавливают модель центра цвета, модель смещения валентности и модель малого полярона для анализа механизма окрашивания, используют электрохромную реакцию для анализа состояния отбеливания и состояния окрашивания. Правильное количество легирования обеспечивает больше электронов, что улучшает проводимость материала. Если он слишком легирован, скопится слишком много примесей и разрушит кристаллическую структуру, что приведет к снижению проводимости.

Тонкопленочный материал состоит из очень маленьких кристаллических, которые могут быть одно- или многокристаллическими. Для некоторого электрического материала мы предполагаем, что он состоит из атома NA и атома NB. В кристалле, когда количество легирования достаточно велико, атом замещается примесью и образует БА, когда образуется другой БА, они встречаются вместе, что вызывает накопление примесей. Это разрушает кристаллическую структуру, которая превышает предыдущее количество легирования. Для золь-гель-метода и метода испарения химическое стехиометрическое соотношение очень точное, температура тонкой пленки низкая, а распределение примесей однородное. Так что это снижает возможность накопления. Для метода магнетронного распыления температура приготовления ниже, распространение примесей неравномерно, увеличивают возможность накопления. Для метода вакуумного испарения паров требуется более высокая температура приготовления, распространение примесей происходит неравномерно, увеличивается вероятность накопления. Для метода химического осаждения из паровой фазы, вызывающего значительные изменения температуры, увеличивается вероятность накопления.

Для определенного типа кристаллической структуры и способа получения тонкой пленки мы можем идентифицировать кристаллическую лигатуру и порошковые изменения атома во время формирования тонкой пленки, вычисляя оптимальное количество легирования x в широком диапазоне значений. Для золь-гель метода оптимальное количество легирования составляет x 14,2857 ； для магнетронного распыления и метода испарения с помощью электрического пучка, оптимальное количество легирования составляет x 8,6647 ； для метода испарения пара, оптимальное количество легирования составляет x = 5,2554%. для метода химического осаждения из паровой фазы х = 3,1876%. Эти результаты не относятся к легирующим элементам, которые должны быть доказаны в эксперименте.