Тонкая пленка из оксида вольфрама, легированного литием

После легирования перхлоратом лития толщина тонкой пленки оксида вольфрама составляет 270 нм, ее свойства улучшаются, пленка становится гладкой и плотной, плотность поверхностного заряда увеличивается, разница поглощения света до и после обесцвечивания может достигать 52,9%. После легирования температура кристаллов не меняется, оптимальная температура термического осаждения все еще составляет 220 градусов Цельсия.

Используя сканирующий электронный микроскоп для увеличения состояния поверхности образца тонкой пленки в 5,5 тыс. раз, было обнаружено, что толщина поперечного сечения каждого образца является постоянной, из приведенной ниже диаграммы видно, что после легирования перхлоратом лития среднее Толщина тонкой пленки составляет около 2700 нм. По сравнению с исходной тонкой пленкой из оксида вольфрама дефект на поверхности тонкой пленки уменьшается, поры почти исчезают, его плотность в значительной степени улучшается. Возьмите приведенную ниже таблицу в качестве примера, которая может четко показать поверхность тонкой пленки оксида вольфрама после легирования перхлоратом лития. Ни один из образцов 9 не имеет хорошей кажущейся плотности, но слишком много белых частиц, это может быть вызвано осаждением перхлората лития во время процесса легирования. Образец № 10 не имеет белых частиц, но на пленке есть небольшие поры и трещины. Это означает, что соотношение неравномерно. Поверхность образца 15 имеет гладкую поверхность и видимых остатков нет, свойства поверхности велики.