Метод испарения паров тонкой пленки оксида вольфрама

Распыление относится к энергичной бомбардировке частиц твердыми поверхностями (мишенями), твердые атомы (или молекулы) испускаются с поверхности и осаждаются на подложке. Это разновидность физического осаждения из паровой фазы. Позитивное ионное распыление генерируется газовым разрядом в электрическом поле высокоскоростной бомбардировки, когда катодная мишень, мишень из атома или молекулы при столкновениях генерирует передачу импульса, так что атомы или молекулы поверхности мишени уходят и оставляют продукт в быть покрыты поверхности заготовки для формирования желаемой пленки.

Способ распыления подразделяется на способ распыления постоянным током, высокочастотное распыление, магнетронное распыление, реактивное распыление, распыление с импульсами распыления на промежуточной частоте, распыление смещения, ионное распыление и тому подобное. Скорость осаждения с помощью магнетронного распыления - это высокое давление, а рабочий газ низкого давления и другие уникальные преимущества делают его наиболее распространенным методом осаждения при распылении.

РЧ-распыление и магнетронное распыление широко применяются для получения тонкой пленки WO3. Тонкая пленка из оксида вольфрама, полученная методом напыления, обладает такими преимуществами, как высокая скорость формирования пленки, высокая чистота, высокая плотность, хорошее сцепление и прочность и т. Д. За счет контроля атмосферного давления и температуры получают высокопроизводительную тонкую пленку WO3, но процесс слишком сложен для контроля, толщина подготовленной тонкой пленки неравномерна, высокая стоимость изготовления ограничивает его применение.