鋅修飾氧化鎢薄膜電極
為了提高氧化鎢的光電化學性能，通常從以下幾個方面出發：
(1)在WO3上負載貴金屬單質，如Pt，Ag，Au等。把WO3塗在嵌有Ag網格的FTO上，測得的光電流密度是沒有嵌Ag網格時的2倍；
(2)在WO3體內摻雜適量的金屬離子或非金屬離子，用Ta5+離子摻雜WO3光電極，實驗表明Ta5+摻雜後的WO3比純的WO3的光電轉換效率更高；
(3)將WO3與其他無機半導體材料複合，採用浸漬法製備得到CuO/WO3複合材料，光催化實驗表明，可見光下CuO/WO3比TiO2表現出更高的光催化降解乙醛活性。
(4)將WO3與有機材料進行複合。可通過電化學方法分別合成製備出PBrT/WO3和PMOT/WO3複合材料，通過電化學測試表明這兩種複合材料與單純的WO3、PBrT以及PMOT相比，電化學活性均得到顯著提高。
本文主要研究Zn離子對電沉積納米WO3薄膜光電極的光電化學性能影響。採用簡單的陰極電沉積－浸漬法，在空氣中經450℃熱處理3h後製備得到鋅修飾氧化鎢（記作Zn-WO3）薄膜光電極。經過光電化學和光電催化活性測試，發現適量的Zn修飾WO3光電極，其光電流和光電催化活性與純的WO3相比，均有顯著提高。
製備方法：
（1）Pt電極為對電極，飽和的甘汞電極（SEC）為參比電極，清洗乾淨的氧化銦錫導電玻璃為工作電極。電沉積在室溫條件下進行，所加電壓為-0.6V，沉積時間為1h，得到藍色無定形的WO3-x•nH2O薄膜。
（2）在空氣中晾乾後，將無定形的WO3-x•nH2O薄膜置於馬弗爐中，在450℃下退火3h，升溫速率約為2℃•min-1，最後得到WO3薄膜光電極。
（3）Zn修飾WO3電極（記作Zn-WO3）製備採用電沉積-浸漬法，即將上述電沉積得到的無定形WO3-x•nH2O薄膜置於5mM的Zn(NO3)2溶液中浸漬。在空氣中晾乾後，將含有Zn的WO3薄膜置於馬弗爐中在上述相同條件下退火，最後得到鋅修飾氧化鎢薄膜電極。
