氧化鎢薄膜化學氣相沉積法
化學氣相沉積是將反應物由氣相引入到襯底表面發生異類反應，形成薄膜的一種工藝，是常見的一種薄膜生長方法。目前用於製備薄膜的主要包括金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD )、低壓化學氣相沉積(LPCVD)等方法。
金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)是一種異質外延生長的常用方法，它有著生長高品質薄膜的一套有效方法。下圖為金屬化學氣相沉積系統示意圖。它常用易揮發性質的有機金屬鹽作為金屬源，以 Ar 作為金屬源的載氣，而反應氣體多用 O2或水汽。用 MOCVD 生長的薄膜具有結晶品質優良，表面平滑，膜均勻性好(包括化學組成與厚度)等優點。
低壓化學氣相沉積(LPCVD)通常是在中等真空度下(約 0.1 -5torr) ,薄膜製備溫度較低，可以在大面積襯底上沉積，沉積過程的易控制性，以及沉積薄膜的平整度高等優點。示意圖如下：
常規的CVD法一般利用的是含有氫和氯的化合物氣相分子，而在製備氧化鎢薄膜時，通常使用的是六羰基鎢W(CO)6或以其為基礎合成的其他鎢化合物作為先驅體，以攜帶W原子抵達襯底表面參與化學反應。也有報導利用其它專門的氣相金屬有機分子，運用金屬有機化學氣相沉積法（OMCVD）來製備氧化鎢薄膜.。等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD） 是在輝光放電引起的等離子體的作用下進行化學氣相沉積，它更能夠提高薄膜沉積的速率。有報導稱，使用PECVD法製備氧化鎢薄膜時，不同點在於使用的先驅體為WF6的情況下，得到的薄膜生長速率可以高達10nm/s，而要得到比此更高的薄膜生長速率對於薄膜品質則有不良的影響。
CVD法製備氧化鎢薄膜沉積速度較之其他製備方法更快，該法具有多功能性、產品高純性、工藝可控性、過程連續性等特點，但成本高，放大困難，不適合工業化大規模薄膜的製備。
