三氧化鎢薄膜微觀結構
薄膜沉積是由最初的原子吸附、脫附、成核、成長到最後形成薄膜，其成核與成長將隨著薄膜沉積時的工藝參數（基片溫度、基片偏壓、氣體壓強）的改變，影響薄膜的微觀結構。在1975年，John A.Thomton提出Zone Models針對濺射沉積金屬薄膜時，基片溫度與濺射氣體壓強（Sputtering Gas Pressure）對於薄膜微觀結構的影響，提出了四種結構區模型，如下圖所示：
在低溫高壓（Ts/TM＜0.3（TS：基片溫度，TM：熔點））條件下，薄膜內部結構容易形成多孔性的細圓柱形晶粒的結構，原因是表面原子遷移率（mobility）低，此區域稱為ZoneⅠ。在高溫（0.3＜Ts／TM＜0.5）條件下，原子獲得較多的熱能因而具有較高的遷移率，導致表面擴散能力增強，所以晶粒變細造成薄膜表面平滑，以及晶粒緊密堆積形成柱狀結構，此區域稱為ZoneⅡ。在更高溫（0.5＜Ts/TM）條件下，由於體擴散的能力增強，加上晶粒再重新結晶的因素，則形成高密度等軸晶體（equi-axisgrains）結構，此稱為ZoneⅢ。ZoneⅠ與ZoneⅡ之間存在一個過渡區，這個區域稱為Zone T.其在低溫（Ts/TM≦0.3）低壓條件下，薄膜其內部的結構，晶粒緊密堆積排列不易分出晶粒邊界，這是遮蔽效應、表面擴散、體擴散及再結晶等現象綜合作用的結果，薄膜呈現纖維狀結構。
