氧化鎢薄膜電極的迴圈伏安特性

氧化鎢薄膜圖片

為了研究氧化鎢薄膜電極的迴圈伏安特性,採用三電極體系,以H2SO4溶液為電解質,通過測量光電流來研究電極的光電化學性能。下圖為450℃熱處理後的WO3薄膜電極在暗態和500W氙燈光源(光強為100Mw/cm2)照射下的迴圈伏安曲線。可以看出,暗態條件下在掃描範圍內電極的極化電流很小,遠小於光照下的陽極光電流。光照條件下光電化學反應具有良好的可逆性。

在電位為0.35~1.2V(vs.Ag/AgCl)範圍內,對電極Pt(陰極)和WO3薄膜電極(陽極)分別發生如下反應:

陽極:2OH-+ h+ → O2 ↑+ 2H+

陰極:2H+ + 2e- → H2 ↑

光照條件下,當施加偏壓較小時,WO3的准Fermi能級較高,電解液中的受主易於捕獲電極中鄰近WO3電解質介面處的光生電子,因此陽極光電流較弱,甚至趨近於0。隨著偏壓的升高,WO3的准Fermi能級隨之降低,電解質中的受主對光生電子的捕獲變得越來越困難,使得擴散到導電基底的光生電子數目逐漸增大;當偏壓達到一定值後,所形成的外加電場進一步加大了光生電子的遷移速度,因此陽極光生電流也隨電位的正移而逐漸增強。