氧化鎢薄膜電極的製備
目前，納米半導體材料作為光催化劑，用於光解水已得到了比較好的效果，TiO2由於具有較高的催化活性和穩定性，是研究較多的一種光催化材料，但是TiO2禁帶寬度大(~3.2 eV)，只能被波長較短的紫外光激發，其光轉化效率很低(~4%) 。三氧化鎢( WO3) 是一種間接帶隙躍遷的半導體材料，與TiO2相比較，WO3的禁帶寬度較窄( 2.5~3.0 eV)，相應的吸收波長為410~500 nm，在可見光區具有良好的光電回應性能。
氧化鎢薄膜電極的製備方法如下：
原料：FTO（F-doped tin oxide導電玻璃）玻璃；鎢酸；雙氧水；丙酮。
（1）選用乾淨的FTO玻璃，作為滴塗法沉積WO3的基底。將FTO玻璃切成1.2cm*2.5cm的小塊進行超聲清洗和紫外光照的清洗。因為FTO基底的乾淨平整情況對電極薄膜的附著力和均一性能等會有比較大的影響。所以在沉積WO3薄膜之前，要對FTO基底進行嚴格的清潔。先用乙醇清洗FTO表面的髒物等。接下來將基底放入丙酮中超聲 30min，除去表面殘留的油污和乙醇，後再將其放入清水中超聲 20min，除去表面殘存的丙酮。最後用高純氮氣吹幹。將清洗得乾淨的基底玻璃片放入紫外箱進行紫外消毒，備用。
（2）稱取 0.02g 鎢酸，用 20ml 30%的雙氧水溶解，靜置 12h 得無色透明的鎢酸溶液，作為沉積WO3的電解質溶液。
（3）使用（1）中潔淨的基底作為工作電極，用移液槍量取 30 微升鎢酸溶液，均勻滴塗在 FTO 導電玻璃表面，室溫下乾燥，最終得到無色的薄膜。
（4）將（3）中沉積的薄膜放入管式爐中，在 500℃空氣氣氛下灼燒 2h，得無色WO3電極。
