纳米孔状氧化钨电极
电化学阳极氧化法制备纳米孔状氧化钨电极：
1）钨片的处理方法：先将钨片切成10mm x 15mm的小片，采用水磨砂纸逐级打磨至表面无划痕，再分别用丙酮、异丙醇、甲醇和去离子水超声清洗15min，氮气吹干以备用。
2）采用两电极阳极氧化法，以金属钨片作为阳极，10mm x 15mm 大小的铂片作为对电极，放入电解槽中，两电极之间的距离是25mm。将电解槽置于恒温水浴槽中，调节水浴温度以控制反应温度；钨片反应面积为0.88cm2。添加一定量配置好的含不同浓度NH4F的1mol/L的（NH4）2SO4溶液电解质。
3）将制备好WO3纳米多孔薄膜用去离子水冲洗，氮气吹干后在空气条件下置于马弗炉中，升温速率为5℃/min，在设定温度下恒温一定时间。待冷却至室温后取出，最后采用环氧树脂封包装成WO3纳米多孔光电极。
光电化学性能：
1)量子转化效率
下图为纳米多孔和致密两种结构的WO3电极在不同波长单色光照射下的光电量子转换效率曲线，电解液使用0.5mol/L的H2SO4溶液（pH=0），电极电位（vs.Ag/AgCl）为1.2V，由图可以看到纳米多孔的电极在340nm的紫外区最高光电转换效率为89.5%，在可见光区400nm处的转化效率达到22.1%，相比之下，致密结构的WO3电极在340nm和400nm处的转化效率仅为19.2%和2.4%，远低于纳米多孔电极的转化效率。2）稳态光电流谱及光转换效率
半导体光阳极产生的电流密度反映了电极材料的光催化活性。两种不同结构电极的稳态光电流谱如下图所示。暗态条件下，在0~1.6V（vs.Ag/AgCl）电位范围内，两个样品的电流密度都极弱，基本趋近于0，表明在没有光照的情况下，无论是纳米多孔还是致密结构的WO3电极，均无法发生电子和空穴的分离而产生光电流。当光照射到光电极上时，随着施加偏压的增加，光电流密度随之升高，且纳米多孔WO3电极所产生的光电流远高于致密结构电极。当电位正移至1.6V（vs.Ag/AgCl）时，经过热处理后的WO3纳米多孔电极的光电流密度达到5.85mA/cm2，是结晶态WO3致密电极（1.20mA/cm2）的4.88倍。这可以归结于纳米多孔WO3电极具有较大的比表面积，不仅有更强的光吸收能力，还能与电解质更充分的接触，更有利于光生电子的传输，从而具有良好的光电性能。
