氧化钨薄膜记忆存储时间
所谓氧化钨薄膜的记忆存储能力，就是指处于变色态的薄膜在外加电压失去以后薄膜仍能处于较长时间的着色态。存储能力的好坏，衡量电致变色器件的优劣及节能水平的高低。
对所有样品进行了变色后的记忆存储时间的测试，发现随着退火温度的升高，样品的记忆存储时间呈下降趋势。室温薄膜经过100摄氏度退火变色后的记忆存储时间最少的72小时，最长的可达1周以上，而经过200e退火的薄膜平均记忆存储时间为48小时左右，经过300摄氏度退火的薄膜平均记忆存储时间仅为1小时左右。
着色态薄膜在外加电压失去后会褪色的原因是:在着色过程中，在电场的作用下，离子和电子分别在两个电极附近大量聚集，形成了一个与驱动电压相反的电动势，当切断电源之后，驱动电压消失，而电动势仍然存在并开始起作用，它的方向与褪色电压的方向是一致的，导致放电褪色。随着反向电动势的减小，褪色趋于平稳。由于反向电动势的存在，也是造成着色态响应时间长于褪色态的原因。
