氧化钨薄膜化学气相沉积法
化学气相沉积是将反应物由气相引入到衬底表面发生异类反应，形成薄膜的一种工艺，是常见的一种薄膜生长方法。目前用于制备薄膜的主要包括金属有机物化学气相沉积(MOCVD )、低压化学气相沉积(LPCVD)等方法。
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)是一种异质外延生长的常用方法，它有着生长高质量薄膜的一套有效方法。下图为金属化学气相沉积系统示意图。它常用易挥发性质的有机金属盐作为金属源，以 Ar 作为金属源的载气，而反应气体多用 O2或水汽。用 MOCVD 生长的薄膜具有结晶质量优良，表面平滑，膜均匀性好(包括化学组成与厚度)等优点。
低压化学气相沉积(LPCVD)通常是在中等真空度下(约 0.1 -5torr) ,薄膜制备温度较低，可以在大面积衬底上沉积，沉积过程的易控制性，以及沉积薄膜的平整度高等优点。示意图如下：
常规的CVD法一般利用的是含有氢和氯的化合物气相分子，而在制备氧化钨薄膜时，通常使用的是六羰基钨W(CO)6或以其为基础合成的其他钨化合物作为先驱体，以携带W原子抵达衬底表面参与化学反应。也有报道利用其它专门的气相金属有机分子，运用金属有机化学气相沉积法（OMCVD）来制备氧化钨薄膜.。等离子体增强化学气相沉积法（PECVD） 是在辉光放电引起的等离子体的作用下进行化学气相沉积，它更能够提高薄膜沉积的速率。有报道称，使用PECVD法制备氧化钨薄膜时，不同点在于使用的先驱体为WF6的情况下，得到的薄膜生长速率可以高达10nm/s，而要得到比此更高的薄膜生长速率对于薄膜品质则有不良的影响。
CVD法制备氧化钨薄膜沉积速度较之其他制备方法更快，该法具有多功能性、产品高纯性、工艺可控性、过程连续性等特点，但成本高，放大困难，不适合工业化大规模薄膜的制备。
