掺杂钽氧化钨薄膜
WO3具有优异的电致变色性能，如着色效率高、可逆性好、记忆时间长等，在电致变色材料及器件的研究中占有重要的地位。然而，WO3在质子型电解质中会发生溶解，从而限制了其在以质子型电解质为传导层的电致变色器件中的应用。研究表明，纳米复合氧化物电致变色材料可以提高器件的稳定性，缩短响应时间，延长器件寿命。Ta2O5具有优异的离子和质子导电特性，而且在很宽的波长范围具有极好的透明性，并具有良好的热稳定性、机械稳定性和化学稳定性，常用于全固态电致变色器件中的电解质层或保护层材料。因此，将Ta2O5与WO3相复合，可以结合两种材料的优势，实现更高的机械和化学相容性，从而提高器件的稳定性和寿命。
Shim等报道了W-Ta氧化物纳米复合薄膜具有比单一WO3薄膜更优越的电化学稳定性和质子传导性能。Ta掺杂对提高氧化钨薄膜的电致变色性能、循环稳定性能和抗酸腐蚀性能方面有明显作用，但是掺杂量必须控制在一定范围内。Ta掺杂量为5%-10%时，W1－xTaxO3薄膜的光学调制和着色效率会有一定的提高；掺杂量为15%时W1－xTaxO3薄膜的电致变色性能基本与未掺杂的WO3薄膜相当；继续增加Ta掺杂量，则造成过度掺杂，会对薄膜的微观结构和电致变色性能造成不利影响。这可能是因为适量掺杂可以调节薄膜的微观结构，使薄膜中的裂纹减少，表面更为均匀；但当掺杂过度时，薄膜太过致密，甚至出现表面颗粒团聚凸起的现象，影响了薄膜的多孔性和均匀性，阻碍了离子在薄膜中的迁移和扩散。另外，过量钽掺杂使得该氧化物的电子导电性大大降低，而氧化钨薄膜的着/退色性能是通过电子和质子的共同注入/抽出实现的，电子导电性的大幅度降低制约了质子的传输性能，因此薄膜
