氧化钨薄膜真空蒸发法

氧化钨薄膜真空蒸发图片

真空蒸发法制备WO3薄膜的原理是在高纯惰性气氛下(Ar, He),对蒸发物质进行真空加热蒸发,使其原子或分子从表面气化逸出,入射到衬底表面,蒸气在惰性气体介质中冷凝形成微粒薄膜。基本过程如下:在真空室下(-1.33*10-3Pa),加热WO3粉末,蒸气在基片上冷凝,即得WO3薄膜。膜的厚度及成膜速率可以通过膜厚监控仪监控。现在真空蒸发法包括:电 弧蒸发、电子束蒸发、激光束蒸发法等。

利用真空法制备WO3薄膜,加热源从最初的炉源加热发展到电弧法加热、电子束加热、激光束加热等,其中电子束蒸发制备WO3薄膜得到了较好的发展。

真空蒸发法制备的薄膜纯度高、颗粒分散性好,通过改变、控制气氛压力和温度,可制得颗粒尺寸不同的纳米薄膜,适合合成熔点低、成分单一物质的薄膜或颗粒。但该法成本高,不适宜制备大面积薄膜。