氧化钨薄膜真空蒸发法
真空蒸发法制备WO3薄膜的原理是在高纯惰性气氛下（Ar, He），对蒸发物质进行真空加热蒸发，使其原子或分子从表面气化逸出，入射到衬底表面，蒸气在惰性气体介质中冷凝形成微粒薄膜。基本过程如下：在真空室下(-1.33*10-3Pa)，加热WO3粉末，蒸气在基片上冷凝，即得WO3薄膜。膜的厚度及成膜速率可以通过膜厚监控仪监控。现在真空蒸发法包括：电 弧蒸发、电子束蒸发、激光束蒸发法等。
利用真空法制备WO3薄膜，加热源从最初的炉源加热发展到电弧法加热、电子束加热、激光束加热等，其中电子束蒸发制备WO3薄膜得到了较好的发展。
真空蒸发法制备的薄膜纯度高、颗粒分散性好，通过改变、控制气氛压力和温度，可制得颗粒尺寸不同的纳米薄膜，适合合成熔点低、成分单一物质的薄膜或颗粒。但该法成本高，不适宜制备大面积薄膜。
