掺杂锂氧化钨薄膜
采用高氯酸锂掺杂之后，三氧化钨薄膜的平均厚度在270nm左右，性能得到改善，薄膜变得致密光滑，电荷面密度增大，变色前后的光吸收差值可达52.9%。掺杂之后，并没有改变整个薄膜的晶化温度，仍然以220摄氏度为最佳热处理温度。
采用扫描电镜放大5.5k倍后对薄膜样品表面情况进行测试，经检测发现设计中各样品横截面厚度基本一致，从图2(a)可以看到掺入高氯酸锂之后，薄膜平均厚度大约在2700nm左右（其比例尺为10.0um，每小格为1.0um，该样品横截面约为2.7个小格），相比于本人对未掺杂的三氧化钨薄膜进行的测试时，可以看到薄膜表面的缺陷减少，孔洞几乎消失，薄膜的致密度有了极大的改善。以下面三个样图作为代表，能够很明显地体现出高氯酸锂掺杂之后，三氧化钨薄膜的表面情况。9号样表面致密好，但是存在较多的白色颗粒， 很可能是在掺杂时候高氯酸锂在溶胶中的沉聚所造成。10号样表面并无白色颗粒残留，但是薄膜存在少量孔洞并出现裂痕，即此配比下，薄膜的应力不均匀。15号样表面光滑致密，无明显残留物，表面性能优良。
